项目背景
某大型半导体制造企业位于长三角地区,主要生产晶圆和芯片。在生产过程中,晶圆切割和抛光阶段产生大量研磨液废水,日均排放量约50吨。由于废水中含有高浓度悬浮物、金属离子及有机添加剂,直接排放会对环境造成严重污染,企业急需建设专业处理设施。
废水成分及来源
研磨液废水主要来源于晶圆加工中的化学机械抛光(CMP)工序,主要污染物包括:
悬浮颗粒物
:二氧化硅、氧化铝等研磨颗粒,粒径在0.1-1μm,浓度高达2000mg/L。
金属离子
:铜、铁、锌等,来自抛光垫磨损及晶圆表面金属层,铜离子浓度约50mg/L。
有机添加剂
:包括表面活性剂、缓蚀剂等,COD值在800-1200mg/L。
酸碱性物质
:pH值波动大,通常在2-11之间。
处理工艺流程
针对废水特性,采用“预处理+生化+深度处理”组合工艺:
调节池
:均衡水质水量,添加酸碱调节pH至中性。
混凝沉淀
:投加PAC(聚合氯化铝)和PAM(聚丙烯酰胺),去除悬浮物和胶体,沉降后SS去除率>90%。
催化氧化
:采用Fenton试剂(H₂O₂+Fe²⁺)降解有机添加剂,COD去除率达60%。
生物处理
:MBR膜生物反应器进一步降解剩余有机物,COD降至100mg/L以下。
离子交换
:专用树脂吸附铜离子,出水铜含量<0.5mg/L。
砂滤+活性炭过滤
:确保出水清澈,达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)一级标准。
最终效果
系统运行稳定后:
SS<10mg/L,COD<60mg/L,铜离子<0.3mg/L。
回用率达40%,剩余达标排放,年减少废水排放1.8万吨。
处理成本约15元/吨,远低于行业平均。
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