项目背景
该半导体制造园区位于华东地区,总投资超过200亿元,主要生产12英寸晶圆和先进封装产品。园区日排放废水量约5000吨,包含多种工艺废水,处理难度大。项目要求废水处理后达到《电子工业水污染物排放标准》(GB 39731-2020)特别排放限值,部分回用率不低于60%。
废水成分及来源
含氟废水:主要来自晶圆蚀刻、清洗工序,氟离子浓度高达200-500mg/L,pH值波动大
有机废水:光刻、显影、去胶等工序产生,COD浓度300-800mg/L,含有异丙醇、丙酮等有机溶剂
含铜废水:电镀、化学机械抛光(CMP)工序产生,铜离子浓度50-150mg/L
酸碱废水:设备清洗、废气洗涤等环节产生,pH值在2-12之间波动
研磨废水:CMP工序产生,含有纳米级二氧化硅颗粒
处理工艺流程
采用"分类收集+分质处理+深度净化"的组合工艺:
含氟废水处理线
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两级化学沉淀:先投加氯化钙调节pH至6-7,再加入PAC和PAM絮凝沉淀
活性氧化铝吸附:确保氟离子浓度降至5mg/L以下
污泥经板框压滤后委托专业处置
有机废水处理线
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微电解预处理:铁碳微电解降解大分子有机物
UASB厌氧反应器:HRT=24h,COD去除率>60%
MBR膜生物反应器:采用PVDF中空纤维膜,通量15LMH
含铜废水处理线
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化学沉淀:投加NaOH调节pH至9-10,形成Cu(OH)2沉淀
离子交换:两级树脂交换确保铜离子<0.3mg/L
电解回收:部分废水经电解回收金属铜
综合处理系统
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调节池:均衡水质水量,设曝气搅拌
混凝沉淀:投加复合絮凝剂去除胶体物质
臭氧催化氧化:降解难降解有机物
反渗透系统:脱盐率>98%,产水回用于生产线
污泥处理系统
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污泥浓缩池:固体浓度从1%提升至3%
离心脱水:加入PAM调理,泥饼含水率<75%
低温干化:部分污泥干化至含水率30%以下
最终效果
项目建成运行后,各项指标稳定达标:氟化物<5mg/L、COD<30mg/L、铜离子<0.3mg/L、pH 6-9。回用水水质达到GB/T 19923-2005工业用水标准,回用率65%,每年节约新鲜水用量约120万吨。污泥产生量减少40%,危险废物处置成本降低35%。系统自动化程度高,在线监测数据与环保部门实时联网。







































































